SIJ420DP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數量：: 3434
說明：: MOSFET N-CH 20V 8-SOIC

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SIJ420DP-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.6 毫歐 @ 15A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：50A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：90nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：3630pF @ 10V
功率 - 最大：62.5W
安裝類型：表面貼裝

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