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中文參數如下:
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.8 毫歐 @ 15A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):25V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:50A
Id 時的 Vgs(th)(最大):2.3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:90nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :3800pF @ 10V
功率 - 最大:69W
安裝類型:表面貼裝
以上是SIR862DP-T1-GE3的詳細信息,包括SIR862DP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!