SIRA10DP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數(shù)量：: 14095
說明：: MOSFET 30V 3.7mOhm@10V 30A N-Ch G-IV

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SIRA10DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIRA10DP-GE3
功率耗散：40 W
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：3.7 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：30 A
閘/源擊穿電壓：2.2 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIRA10DP-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIRA10DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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