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中文參數如下:
零件號別名:SIS468DN-GE3
功率耗散:52 W
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK 1212-8
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):19.5 mOhms at 10 V
漏極連續電流:30 A
閘/源擊穿電壓:3 V
汲極/源極擊穿電壓:80 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SIS468DN-T1-GE3的詳細信息,包括SIS468DN-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!