三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SIZ904DT-T1-GE3

SIZ904DT-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-PowerPair?
數量：: 8388
說明：: MOSFET 30V 12/16A 20/33W 24/13.5mOhms @ 10V

一、本商品被瀏覽0次.

SIZ904DT-T1-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SIZ904DT-GE3
典型關閉延遲時間：15 nS, 14 nS
上升時間：10 nS, 9 nS
功率耗散：33 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：3.8 nC, 7.3 nC
下降時間：10 nS, 8 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAIR-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.024 Ohms at 10 V, 0.0135 Ohms at 10 V
漏極連續電流：16 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIZ904DT-T1-GE3的詳細信息，包括SIZ904DT-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：