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SP8J2TB

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 -
數(shù)量:
 1918  
說(shuō)明:
 MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC
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SP8J2TB--圖片

SP8J2TB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型2 個(gè) P 溝道(雙)
FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C56 毫歐 @ 4.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs8.5nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.5A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 850pF @ 10V
功率 - 最大2W
安裝類(lèi)型表面貼裝

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