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SP8M6TB

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數量：: 909
說明：: MOSFET

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SP8M6TB PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：22 ns, 35 ns
上升時間：8 ns, 15 ns
功率耗散：2 W
下降時間：5 ns, 10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOP-8
安裝風格：SMD/SMT
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.051 Ohms
漏極連續電流：+/- 5 A, +/- 3.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N and P-Channel
制造商：ROHM Semiconductor

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