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中文參數如下:
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封裝封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:150°C(TJ)
功率 - 最大值:650mW
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):180pF @ 25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):5.2nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):1.63 歐姆 @ 1.5A,10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):3A,2.5A
漏源電壓(Vdss):250V
FET 功能:-
配置:N 和 P 溝道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
產品狀態:停產
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:Rohm Semiconductor
以上是SP8M70TB1的詳細信息,包括SP8M70TB1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!