SP8M8FD5TB1

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數(shù)量：: 1530
說明：: MOSFET N/P-CH 30V 8SOP

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SP8M8FD5TB1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
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封裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C
功率 - 最大值：2W（Ta）
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：520pF @ 10V，850pF @ 10V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：7.2nC @ 5V，8.5nC @ 5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：30毫歐 @ 6A，10V，56毫歐 @ 4.5A，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：6A（Ta），4.5A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：30V
FET 功能：邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng)
配置：N 和 P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Rohm Semiconductor

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