SPB02N60S5ATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3-2
數(shù)量：: 1617
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 600V 1.8A TO263-3

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SPB02N60S5ATMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：25W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：240 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：9.5 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 80μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3 歐姆 @ 1.1A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：1.8A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：CoolMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

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