SPB08P06P

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 1017
說明：: MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK

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SPB08P06P-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C300 毫歐 @ 6.2A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)60V
Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.8A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 420pF @ 25V
功率 - 最大42W
安裝類型表面貼裝

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