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SPB100N08S2-07

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：
 1134  
說(shuō)明：
 MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
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SPB100N08S2-07 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C6.8 毫歐 @ 66A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)75V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs200nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 6020pF @ 25V
功率 - 最大300W
安裝類型表面貼裝

以上是SPB100N08S2-07的詳細(xì)信息，包括SPB100N08S2-07廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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