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SPP35N10

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO220-3-1
數量:
 5751  
說明:
 MOSFET N-CH 100V 35A
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SPP35N10-PG-TO220-3-1圖片

SPP35N10 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:39 ns
工廠包裝數量:500
上升時間:63 ns
功率耗散:150 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :23 S / 12 S
下降時間:23 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):44 m Ohms
漏極連續(xù)電流:35 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是SPP35N10的詳細信息,包括SPP35N10廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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