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SQD50N06-09L-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 2277
說明：: MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V

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SQD50N06-09L-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：27 ns
工廠包裝數(shù)量：2000
功率耗散：136000 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：9 mOhms
漏極連續(xù)電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQD50N06-09L-GE3的詳細(xì)信息，包括SQD50N06-09L-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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