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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:24 nS
上升時間:17 nS
功率耗散:166 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:46 nC
下降時間:9 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.038 Ohms at 10 V
漏極連續電流:40 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:150 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SQM40N15-38-GE3的詳細信息,包括SQM40N15-38-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!