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SQM85N03-06P-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TO-263
數量：
 2673  
說明：
 MOSFET 30V 60A 100W N-Ch Automotive
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SQM85N03-06P-GE3-TO-263圖片

SQM85N03-06P-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：32 nS
上升時間：7 nS
功率耗散：100 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：47 nC
下降時間：6 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.006 Ohms at 10 V
漏極連續電流：60 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQM85N03-06P-GE3的詳細信息，包括SQM85N03-06P-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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