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中文參數(shù)如下: 功率耗散:0.1 W 正向跨導 gFS(最大值/最小值) :0.025 S 包裝形式:Reel 封裝形式:DP-3 安裝風格:SMD/SMT 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 電阻汲極/源極 RDS(導通):4 Ohms 漏極連續(xù)電流:0.1 A 閘/源擊穿電壓:+/- 20 V 汲極/源極擊穿電壓:30 V 晶體管極性:N-Channel RoHS:是 產(chǎn)品種類:MOSFET 制造商:Toshiba