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中文參數如下:
FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點二極管(隔離式)
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C213 毫歐 @ 1A, 4V
漏極至源極電壓(Vdss)20V
Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs6.4nC @ 4V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C1.5A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 250pF @ 10V
功率 - 最大500mW
安裝類型表面貼裝
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