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STB150N3LH6

廠家：
  STMicroelectronics
封裝：
 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：
 5201  
說明：
 MOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
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STB150N3LH6-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

STB150N3LH6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：100 ns
上升時間：85 ns
功率耗散：110 W
柵極電荷 Qg：80 nC
下降時間：40 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3 mOhms
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：STMicroelectronics

以上是STB150N3LH6的詳細信息，包括STB150N3LH6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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