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STB200N4F3

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 5553
說明：: MOSFET N-Ch, 40V-0.0035ohms 120A

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STB200N4F3-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

STB200N4F3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：90 ns
上升時間：180 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：65 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0031 Ohms
漏極連續(xù)電流：120 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB200N4F3的詳細信息，包括STB200N4F3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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