STB36NM60ND

廠(chǎng)家：: STMicroelectronics
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 7272
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

一、本商品被瀏覽0次.

STB36NM60ND PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：190W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2785 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：80.4 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：110 毫歐 @ 14.5A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：29A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類(lèi)型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101, FDmesh? II
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：STMicroelectronics

以上是STB36NM60ND的詳細(xì)信息，包括STB36NM60ND廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：