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STB4N62K3

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 7347
說明：: MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3

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STB4N62K3-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

STB4N62K3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：70 W
柵極電荷 Qg：14 nC
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.95 Ohms
漏極連續(xù)電流：2 A
閘/源擊穿電壓：3 V
汲極/源極擊穿電壓：620 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB4N62K3的詳細(xì)信息，包括STB4N62K3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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