三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > STB60NE06L-16T4

STB60NE06L-16T4

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 6903
說明：: MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp

一、本商品被瀏覽0次.

STB60NE06L-16T4 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：45 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：155 ns
功率耗散：150 W
最小工作溫度：- 65 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：30 S
下降時間：220 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.012 Ohms
漏極連續(xù)電流：60 A
閘/源擊穿電壓：+/- 15 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB60NE06L-16T4的詳細信息，包括STB60NE06L-16T4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：