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STD11NM60N-1

廠家：
  STMicroelectronics
封裝：
 TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
數(shù)量：
 225  
說明：
 MOSFET N Ch 600V 0.37 Ohm 10A
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STD11NM60N-1-TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA圖片

STD11NM60N-1 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：50 ns
工廠包裝數(shù)量：75
上升時(shí)間：18.5 ns
功率耗散：90 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：12 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.45 Ohms
漏極連續(xù)電流：10 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STD11NM60N-1的詳細(xì)信息，包括STD11NM60N-1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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