STD18N65M2-EP

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: D-PAK（TO-252）
數(shù)量：: 5076
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK

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STD18N65M2-EP PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：110W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：700 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：14.4 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：375 毫歐 @ 5.5A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：11A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類(lèi)型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：STMicroelectronics

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