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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:45 ns
上升時間:16 ns
功率耗散:70 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:19 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:DPAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.56 Ohms
漏極連續電流:7.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STD9NM50N-1的詳細信息,包括STD9NM50N-1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!