中文參數如下:
工廠包裝數量:10
上升時間:35 ns
功率耗散:400 W
最小工作溫度:- 65 C
下降時間:30 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:ISOTOP
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.13 Ohms
漏極連續電流:38 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STE38NB50的詳細信息,包括STE38NB50廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!