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中文參數如下:
功率耗散:40 W
包裝形式:Tube
封裝形式:I2PAK
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.27 Ohms
漏極連續電流:17 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STFI20NK50Z的詳細信息,包括STFI20NK50Z廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!