
點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:
安裝風格:SMD/SMT
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
功率耗散:75 W
柵極—射極漏泄電流:100 nA
在25 C的連續集電極電流:14 A
柵極/發射極最大電壓:20 V
集電極—射極飽和電壓:2.3 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V
RoHS:是
產品種類:IGBT 晶體管
制造商:STMicroelectronics
以上是STGB3NC120HDT4的詳細信息,包括STGB3NC120HDT4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!