STGP6M65DF2

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-220
數(shù)量：: 7101
說明：: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

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STGP6M65DF2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-220-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時間 (trr)：140 ns
測試條件：400V，6A，22 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：12ns/86ns
柵極電荷：21.2 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：40μJ（開），136μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：88 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，6A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：24 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：12 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：M
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

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