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中文參數如下:
安裝風格:Through Hole
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-247
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:360 W
柵極—射極漏泄電流:250 nA
在25 C的連續集電極電流:100 A
柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓:1.8 V
RoHS:是
產品種類:IGBT 晶體管
制造商:STMicroelectronics
以上是STGW50H60DF的詳細信息,包括STGW50H60DF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!