STH170N8F7-2

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: H2Pak-2
數量：: 4564
說明：: MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2

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STH170N8F7-2 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：250W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：8710 pF @ 40 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：120 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.7 毫歐 @ 60A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：120A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：80 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：STripFET? F7
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：STMicroelectronics

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