STHU47N60DM6AG

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: HU3PAK
數量：: 7623
說明：: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V

一、本商品被瀏覽0次.

STHU47N60DM6AG PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：250W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2350 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：55 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：80 毫歐 @ 18A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：36A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：Automotive
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：STMicroelectronics

以上是STHU47N60DM6AG的詳細信息，包括STHU47N60DM6AG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：