STL11N6F7

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: PowerFlat?（3.3x3.3）
數量：: 3771
說明：: MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT

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STL11N6F7 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.9W（Ta），48W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1035 pF @ 30 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：17 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：12 毫歐 @ 5.5A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：11A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：停產
包裝：STripFET?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：STMicroelectronics

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