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中文參數如下:
上升時間:22 ns
功率耗散:60 W
柵極電荷 Qg:4.5 nC
下降時間:2.8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerFLAT 5x6
安裝風格:SMD/SMT
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.016 Ohms
漏極連續電流:40 A
閘/源擊穿電壓:22 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STL40DN3LLH5的詳細信息,包括STL40DN3LLH5廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!