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中文參數(shù)如下:
:
封裝封裝/外殼:8-PowerVDFN
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率 - 最大值:65W(Tc)
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):500pF @ 25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):9.4nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):16毫歐 @ 6A,10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18A(Tc)
漏源電壓(Vdss):40V
FET 功能:-
配置:2 N-通道(雙)
技術:MOSFET(金屬氧化物)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:Automotive, AEC-Q101, STripFET? F7
系列:卷帶(TR)
品牌:STMicroelectronics
以上是STL52DN4LF7AG的詳細信息,包括STL52DN4LF7AG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!