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STP4N150

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 5328  
說明:
 MOSFET PowerMESH MOSFET
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STP4N150-TO-220-3圖片

STP4N150 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:45 ns
工廠包裝數(shù)量:50
上升時間:30 ns
功率耗散:160 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :3.5 S
下降時間:45 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):5 Ohms
漏極連續(xù)電流:4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:1500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STP4N150的詳細(xì)信息,包括STP4N150廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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