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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:19 ns
上升時間:33 ns
功率耗散:60 W
柵極電荷 Qg:8.8 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :1.1 V
下降時間:4.2 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0114 Ohms
漏極連續電流:48 A
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STP60N3LH5的詳細信息,包括STP60N3LH5廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!