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STPSC4H065DLF

廠家：
  STMicroelectronics
封裝：
 PowerFlat?（8x8）HV
數(shù)量：
 6264  
說明：
 DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT
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STPSC4H065DLF-PowerFlat?（8x8）HV圖片

STPSC4H065DLF PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：PowerFlat?（8x8）HV
封裝/外殼：8-PowerVDFN
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：245pF @ 0V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：40 μA @ 650 V
反向恢復時間 (trr)：0 ns
速度：無恢復時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 4 A
電流 - 平均整流 (Io)：4A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：ECOPACK?2
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：STMicroelectronics

以上是STPSC4H065DLF的詳細信息，包括STPSC4H065DLF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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