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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:37 ns
上升時間:42 ns
功率耗散:3 W
柵極電荷 Qg:12.9 nC
下降時間:5.2 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):6.25 mOhms
漏極連續(xù)電流:15 A
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STS15N4LLF5的詳細信息,包括STS15N4LLF5廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!