
點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:
功率耗散:27 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:6 nC
包裝形式:Tube
封裝形式:IPAK
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):3.8 Ohms
漏極連續電流:1.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:450 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STU3N45K3的詳細信息,包括STU3N45K3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!