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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:50 ns
上升時間:14 ns
功率耗散:70 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:15 nC
下降時間:11 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:IPAK
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):560 mOhms
漏極連續電流:7 A
閘/源擊穿電壓:25 V
汲極/源極擊穿電壓:650 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STU8N65M5的詳細信息,包括STU8N65M5廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!