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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:283 ns
上升時間:218 ns
功率耗散:450 W
柵極電荷 Qg:338 nC
下降時間:250 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:Max247
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):10 mOhms
漏極連續電流:130 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STY130NF20D的詳細信息,包括STY130NF20D廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!