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SUD19P06-60-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數量：
 99645  
說明：
 MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V
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SUD19P06-60-GE3-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

SUD19P06-60-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：65 ns
工廠包裝數量：2000
上升時間：9 ns
功率耗散：2.3 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：30 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：60 mOhms
漏極連續電流：18.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUD19P06-60-GE3的詳細信息，包括SUD19P06-60-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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