SUD50P04-08-GE3

廠(chǎng)家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252AA
數(shù)量：: 6795
說(shuō)明：: MOSFET P-CH D-S 40V DPAK

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SUD50P04-08-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8.1 毫歐 @ 22A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：50A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：159nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：5380pF @ 20V
功率 - 最大：2.5W
安裝類(lèi)型：表面貼裝

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