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SUP50N03-5M1P-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 7227
說明：: MOSFET 30V 50A N-CH MOSFET

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SUP50N03-5M1P-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：59.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：110 S
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-220AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0042 Ohms
漏極連續(xù)電流：50 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SUP50N03-5M1P-GE3的詳細信息，包括SUP50N03-5M1P-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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