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TCDT1101G

廠家：: Vishay Semiconductors
封裝：: 6-DIP
數量：: 5839
說明：: 晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 40-80%

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TCDT1101G PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
輸出類型：DC
輸出設備：NPN Phototransistor
每芯片的通道數量：1 Channel
最大反向二極管電壓：5 V
最大輸入二極管電流：60 mA
包裝形式：Tube
封裝形式：PDIP-6
最小工作溫度：- 55 C
最大工作溫度：+ 100 C
最大功率耗散：250 mW
最大集電極電流：50 mA
最大正向二極管電壓：1.6 V
電流傳遞比：80 %
絕緣電壓：5000 Vrms
最大集電極/發射極飽和電壓：0.3 V
最大集電極/發射極電壓：32 V
輸入類型：DC
RoHS：是
產品種類：晶體管輸出光電耦合器
制造商：Vishay

以上是TCDT1101G的詳細信息，包括TCDT1101G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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