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TCET1102G

廠家：
  Vishay Semiconductors
封裝：
 4-DIP
數量：
 5076  
說明：
 晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR 63-125%
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TCET1102G-4-DIP圖片

TCET1102G PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：5000
輸出類型：DC
輸出設備：NPN Phototransistor
每芯片的通道數量：1 Channel
最大反向二極管電壓：6 V
最大輸入二極管電流：60 mA
包裝形式：Tube
封裝形式：PDIP-4
最小工作溫度：- 40 C
最大工作溫度：+ 100 C
最大功率耗散：265 mW
最大集電極電流：50 mA
最大正向二極管電壓：1.6 V
電流傳遞比：125 %
絕緣電壓：5000 Vrms
最大集電極/發射極飽和電壓：0.3 V
最大集電極/發射極電壓：70 V
輸入類型：DC
RoHS：是
產品種類：晶體管輸出光電耦合器
制造商：Vishay

以上是TCET1102G的詳細信息，包括TCET1102G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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