中文參數如下:
工廠包裝數量:20
上升時間:50 ns
功率耗散:150 W
下降時間:70 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-3P(W)
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):2 Ohms
漏極連續電流:7 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:900 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TK07H90A(Q)的詳細信息,包括TK07H90A(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!