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中文參數(shù)如下:
上升時間:30 ns
功率耗散:35 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:8 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220SIS
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.4 Ohms
漏極連續(xù)電流:12 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TK12A60U(Q)的詳細信息,包括TK12A60U(Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!